Реальная тара может отличаться от изображённой на фотографии
Нет в наличии
Отвердитель циклоалифатический амин LS D3081 — жидкий модифицированный циклоалифатический полиаминовый отвердитель для двухкомпонентных эпоксидных систем, аналог IPOX-2042 и KH-8425. По паспорту производителя время гелеобразования при 25 °C составляет около 20 минут при стандартном соотношении со смолой на основе бисфенола A. Обеспечивает быстрое сквозное отверждение, высокую химическую стойкость и хорошую адгезию к бетону и металлу. Применяют в промышленных грунтах, наливных полах, гидроизоляции и декоративных покрытиях, где требуется сокращённый цикл работ. Рекомендуемая доза подбирается по аминному и эпоксидному эквивалентам смолы; типичный диапазон — 30–45 массовых частей на 100 частей смолы с эпоксидным эквивалентом 185–195.
TDS LS D3081; аналог IPOX-2042, KH-8425.
LS D3081 применяют в двухкомпонентных эпоксидных грунтах для металла и бетона, где важно быстрое набор прочности и сквозное отверждение толстых слоёв. Смесь готовят непосредственно перед нанесением; время жизни смеси контролируют по вязкости и температуре окружающей среды. При +10 °C время гелеобразования увеличивается, поэтому в холодный сезон допускают введение ускорителя или повышение температуры помещения до 18–22 °C.
В системах наливных полов LS D3081 обеспечивает равномерное отверждение слоя 2–4 мм и хорошую адгезию к цементной стяжке. Перед нанесением основание шлифуют, удаляют пыль и наносят эпоксидный грунт при необходимости. Для гидроизоляции подвалов и резервуаров отвердитель комбинируют со смолами повышенной химической стойкости; толщину и число слоёв задаёт проект.
При температуре выше 30 °C время гелеобразования сокращается; смесь готовят порциями, соответствующими времени нанесения. Перемешивание — не менее 3 мин при 300–400 об/мин.
D3081 даёт около 20 мин до геля — для быстрых циклов; SM6217S около 40 мин — для больших площадей и ручного нанесения.
Влажность основания по карбидному методу обычно не выше 4 %; при превышении наносят влагозащитный грунт или сушат основание.
